功率变革：将GaN集成到SMPS中
硅是电子领域极具价值的材料。生长高纯度体硅，并通过掺杂实现p型与n型半导体特性的能力，是电力电子行业发展的巨大推动力，催生出低成本、高性能的开关器件。如今，几乎所有带电池或电源插头的设备中，都能见到这类器件的身影。
gan开关
宜普电源转换公司申请三端双向增强型GaN开关专利，涉及一种具有单栅极的三端双向GaN FET
国家知识产权局信息显示，宜普电源转换公司申请一项名为“三端双向增强型GaN开关”的专利，公开号CN120113154A，申请日期为2023年10月。